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搜索結(jié)果

[行業(yè)動態(tài)]HTCC陶瓷基板技術(shù)解析：高溫工藝如何成就卓越可靠性

在5G通信、新能源汽車、航空航天等高端制造領(lǐng)域，電子裝備正面臨著功率密度持續(xù)攀升、運行環(huán)境日益嚴(yán)苛的雙重挑戰(zhàn)。在此背景下，HTCC陶瓷基板憑借其獨特的高溫共燒工藝，展現(xiàn)出卓越的綜合性能，成為保障關(guān)鍵設(shè)備長效穩(wěn)定運行的核心材料。歷經(jīng)1500-1600℃的“烈火淬煉”，HTCC奠定了其在極端工況下無可替代的可靠性地位

2025-11-22 http://www.nxyjh.com/Article/HTCCtaocijibanjishuj.html
[行業(yè)動態(tài)]第三代半導(dǎo)體崛起催生封裝材料革命：五大陶瓷基板誰主沉??？

在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號完整性。

2025-08-06 http://www.nxyjh.com/Article/disandaibandaotiqicu.html
[行業(yè)動態(tài)]從DBC到AMB：氮化鋁基板金屬化技術(shù)演進與未來趨勢

氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種新型電子封裝材料，憑借其優(yōu)異的熱導(dǎo)率（理論值高達320W/(m·K)）、良好的絕緣性能以及與半導(dǎo)體材料相匹配的熱膨脹系數(shù)，已成為高功率電子器件散熱基板的首選材料。然而，AlN陶瓷的強共價鍵特性導(dǎo)致其與金屬材料的浸潤性較差，這給金屬化工藝帶來了巨大挑戰(zhàn)。

2025-08-02 http://www.nxyjh.com/Article/congDBCdaoAMBdanhual.html
[行業(yè)動態(tài)]高性能陶瓷基板：電子封裝領(lǐng)域的核心材料革新

在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子封裝材料的選擇直接影響著器件性能的極限。傳統(tǒng)塑料封裝因?qū)嵝阅懿蛔汶y以滿足高功率需求，金屬封裝又面臨絕緣性能的挑戰(zhàn)

2025-07-24 http://www.nxyjh.com/Article/gaoxingnengtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板：高精密電子封裝的核心材料

在電子器件不斷向高性能、小型化、高可靠性發(fā)展的趨勢下，陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性及熱穩(wěn)定性，成為大功率電子封裝的理想選擇。其中，直接鍍銅陶瓷基板（DPC, Direct Plated Copper）憑借其高精度線路、優(yōu)異的散熱能力以及可垂直互連等優(yōu)勢，在LED、激光雷達、半導(dǎo)體激光器、射頻器件等領(lǐng)域占據(jù)重要地位

2025-07-19 http://www.nxyjh.com/Article/DPCtaocijibangaojing.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強度測試與性能分析

AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強度作為表征結(jié)合強度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。

2025-06-10 http://www.nxyjh.com/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁基板加工：技術(shù)與應(yīng)用的深度剖析

在高端電子器件和功率模塊快速發(fā)展的今天，散熱問題已成為制約設(shè)備性能提升的關(guān)鍵瓶頸。氮化鋁（AlN）陶瓷基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率和優(yōu)異的熱-機-電綜合性能，正逐漸成為高功率密度電子封裝的首選材料。

2025-06-05 http://www.nxyjh.com/Article/danhualvjibanjiagong.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板Micro TEC：多領(lǐng)域高精度溫控的實踐與探索

在5G通信、人工智能與自動駕駛技術(shù)飛速發(fā)展的今天，高速光模塊、激光雷達等核心器件對溫度穩(wěn)定性的要求已逼近物理極限。傳統(tǒng)溫控方案難以滿足毫米級精密器件的需求，而基于DPC（Direct Plating Copper）陶瓷基板的Micro TEC（微型熱電制冷器）憑借其卓越的材料特性與先進的加工工藝，正在成為高精度溫控領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。

2025-06-03 http://www.nxyjh.com/Article/DPCtaocijibanMicroTE.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://www.nxyjh.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://www.nxyjh.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板用于電子封裝的應(yīng)用指南

在電子封裝基板領(lǐng)域，有幾種常見類型，每種都具有其獨特的優(yōu)點和局限性。塑料、金屬和陶瓷基板是最常見的競爭者。然而，在這份全面指南中，我們將專注于陶瓷基板的卓越特性和優(yōu)勢。我們將探討它們卓越的絕緣性能、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、出色的氣密性和化學(xué)穩(wěn)定性。陶瓷基板非常適用于高可靠性、高頻率、高溫抗性和氣密性產(chǎn)品封裝，特別是在航空航天、軍事和其他對要求嚴(yán)格的行業(yè)中。

2023-10-11 http://www.nxyjh.com/Article/taocijibanyongyudian.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-10-06 http://www.nxyjh.com/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.nxyjh.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://www.nxyjh.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機器等領(lǐng)域。隨著我國高鐵、航空航天、混合動力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢能夠完全發(fā)揮出來。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時起著機械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://www.nxyjh.com/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http://www.nxyjh.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://www.nxyjh.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關(guān)注的新一代先進陶瓷，具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

2023-03-31 http://www.nxyjh.com/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://www.nxyjh.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://www.nxyjh.com/Article/danhuaguitaociban.html

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[陶瓷基板]DPC氮化鋁鍍金工藝陶瓷板

[陶瓷覆銅板]1mm氮化鋁陶瓷基板覆銅

[行業(yè)動態(tài)]HTCC陶瓷基板技術(shù)解析：高溫工藝如何成就卓越可靠性

[行業(yè)動態(tài)]第三代半導(dǎo)體崛起催生封裝材料革命：五大陶瓷基板誰主沉??？

[行業(yè)動態(tài)]從DBC到AMB：氮化鋁基板金屬化技術(shù)演進與未來趨勢

[行業(yè)動態(tài)]高性能陶瓷基板：電子封裝領(lǐng)域的核心材料革新

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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強度測試與性能分析

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[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板用于電子封裝的應(yīng)用指南

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

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[行業(yè)動態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進展