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[行業(yè)動態(tài)]金屬化陶瓷基板：絕緣陶瓷的“導(dǎo)電革命”與高端制造的核心基石

金屬化陶瓷基板是一種通過在陶瓷表面形成兼具優(yōu)良導(dǎo)電性和高結(jié)合強(qiáng)度的金屬層而制成的復(fù)合功能材料。它通過將絕緣的陶瓷與導(dǎo)電的金屬相結(jié)合，在保持陶瓷本身機(jī)械支撐與絕緣特性的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了電路導(dǎo)通與熱量管理的雙重功能。

2025-09-03 http://www.nxyjh.com/Article/jinshuhuataocijibanj.html
[行業(yè)動態(tài)]第三代半導(dǎo)體崛起催生封裝材料革命：五大陶瓷基板誰主沉?。?

在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號完整性。

2025-08-06 http://www.nxyjh.com/Article/disandaibandaotiqicu.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板技術(shù)解析：DBC與AMB的差異與應(yīng)用選擇

在功率電子和半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，陶瓷基板作為關(guān)鍵材料，其性能直接影響器件的可靠性和效率。目前市場上主流的兩種厚銅陶瓷基板技術(shù)——DBC（直接覆銅）和AMB（活性金屬釬焊）各具特色。

2025-07-31 http://www.nxyjh.com/Article/taocijibanjishujiexi.html
[行業(yè)動態(tài)]高性能陶瓷基板：電子封裝領(lǐng)域的核心材料革新

在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子封裝材料的選擇直接影響著器件性能的極限。傳統(tǒng)塑料封裝因?qū)嵝阅懿蛔汶y以滿足高功率需求，金屬封裝又面臨絕緣性能的挑戰(zhàn)

2025-07-24 http://www.nxyjh.com/Article/gaoxingnengtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板：新能源汽車電力電子的散熱革新

在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的陶瓷基板，其技術(shù)演進(jìn)直接影響著整車的能效和可靠性。

2025-07-17 http://www.nxyjh.com/Article/danhuaguitaocijibanx.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測試與性能分析

AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強(qiáng)度作為表征結(jié)合強(qiáng)度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。

2025-06-10 http://www.nxyjh.com/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷PCB電路板：解鎖高功率電子設(shè)備的未來散熱與性能革命

在追求高性能、小型化的電子設(shè)備浪潮中，陶瓷PCB電路板正以卓越的導(dǎo)熱性、高頻穩(wěn)定性和耐極端環(huán)境能力，成為高功率電子設(shè)計(jì)的核心材料。無論是5G通信基站、新能源汽車的功率模塊，還是航空航天設(shè)備的精密電路，陶瓷PCB電路板憑借其獨(dú)特的材料優(yōu)勢，正在重新定義電子設(shè)備的可靠性與效率。

2025-02-06 http://www.nxyjh.com/Article/taociPCBdianlubanjie.html
[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://www.nxyjh.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://www.nxyjh.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無焊料，無鍵合線等互連技術(shù)趨勢外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話題。

2023-10-23 http://www.nxyjh.com/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://www.nxyjh.com/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-06-16 http://www.nxyjh.com/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://www.nxyjh.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://www.nxyjh.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://www.nxyjh.com/Article/danhuaguitaociban.html
[常見問題]鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)

鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn) 鋁碳化硅基板（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳，在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件、軍工等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用。今天小編要分享的是鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)：一，鋁碳化硅基板的優(yōu)點(diǎn)1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC底板上。3，鋁碳化硅基板重量輕，硬度強(qiáng)，抗彎強(qiáng)度高、抗震效果好。在惡劣環(huán)境下的首選材料。此外，鋁碳化硅基板（AI/SiC）由于具

2022-10-19 http://www.nxyjh.com/Article/lvtanhuaguijibanshis.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成

氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成氮化硅陶瓷基板高抗拉強(qiáng)度，耐磨損，耐高溫、在汽車電子、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體等器件封裝中應(yīng)用。那么對于要打樣加工氮化硅陶瓷基板的客戶來說，除了關(guān)注交期和產(chǎn)品品質(zhì)、加工能力，對價(jià)格也是非常關(guān)注的。今天要分享的是氮化硅陶瓷基板價(jià)格以及構(gòu)成。一，氮化硅陶瓷基板價(jià)格氮化硅陶瓷基板加工成覆銅板或者電路板的價(jià)格是比較高的，氮化硅陶瓷基板打樣一款在5000元以上，打樣和批量價(jià)格也不同。二，影響氮化硅陶瓷基板價(jià)格的因素影響氮化鋁陶瓷基板價(jià)格的因素很多，首先是板材規(guī)格，不同的尺寸、厚度價(jià)格也不一樣，還有看加工的cps大小，這個(gè)會影響板材利用率的，板材利用率低，也就是cps尺寸大，那么基材耗費(fèi)就高，成本也高，氮化硅基板一張板材的成本就

2022-10-18 http://www.nxyjh.com/Article/danhuaguitaocijibanjc.html
[常見問題]鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別

鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別鋁碳化硅基板在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用，主要是因?yàn)殇X基碳化硅基板具備導(dǎo)熱率高、熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配，重量輕、密度小、高硬度和高抗彎強(qiáng)度。那么鋁碳化硅基板和氮化硅基板有什么區(qū)別呢？一，鋁碳化硅基板的和氮化硅基板的特點(diǎn)和優(yōu)勢鋁基碳化硅基板鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。被應(yīng)用到軍工行業(yè)領(lǐng)域，有著非常重要的突出優(yōu)勢。1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，

2022-10-08 http://www.nxyjh.com/Article/lvtanhuaguijibanyuda.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.nxyjh.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎

鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強(qiáng)模塊機(jī)械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅（AlSiC），鋁碳化硅基板哪些優(yōu)勢適應(yīng)了IGBT底板的要求呢？一，什么是鋁碳化硅基板（AlSiC），有什么性能特點(diǎn) 鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。鋁碳化硅早期應(yīng)用于美軍機(jī)雷達(dá)芯片襯底，用于替代鎢銅；替代后散熱效果優(yōu)異，并且使雷達(dá)整體減重10公斤，這使AlSiC材料得到了重視。二，鋁碳化硅基板有以下核心優(yōu)勢1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性。2）AlSiC是復(fù)合

2022-09-06 http://www.nxyjh.com/Article/lvtanhuaguijibanweihe.html