IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT模塊生產過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT產業(yè)微信群；

下面是一張IGBT實物圖，可以看出主要的物料有IGBT芯片，二極管，五金件，鍵合絲，陶瓷基板，外殼等。

IGBT模塊生產工藝流程如下所示：

（3）檢測：使用檢測設備對焊接口進行平面和立體成像檢測，不合格的產品經人工維修合格后進入下一工序；

（8）超聲波焊接：使用超聲波焊接設備將端子與半成品焊接，不使用助焊劑及焊材，屬于摩擦焊接；